Сферы применения микросхем памяти: характеристики и принцип работы

Развитие и усовершенствование электроники достигается с помощью модернизации программных интегральных компонентов. Они, в свою очередь, требуют использования более современных систем хранения информации, улучшения основных характеристик микросхем памяти.

Классификация и принцип работы микросхемы памяти

Открытие новых способов регистрации и хранения цифровой информации вовсе не означает полный отказ от использования ранее применяемых систем. Они занимают свою нишу в разных сферах в соответствии с имеющейся структурой и набором требуемых характеристик микросхем памяти основных типов ОЗУ (оперативное запоминающее устройство) и ППЗУ (программируемое постоянное запоминающее устройство).

Динамические ОЗУ

Устройство микросхем памяти динамических ОЗУ — набор транзисторных ячеек, содержащих конденсатор для хранения логического 0 или 1. Наноразмеры ячеек и стоимость такого типа регистров меньше, чем у транзисторных триггеров. Но из-за частой необходимости обновления информации используется сложная система управления. ДОЗУ используется в персональных компьютерах, смартфонах и др.

Статические ОЗУ

Логические состояния 0 или 1 в статических ОЗУ устойчивые и могут сколько угодно долго храниться в памяти микросхемы, пока на нее подано питание. Ячейки статических ОЗУ больше, чем у динамических, поэтому компоненты этого типа сравнительно дороже и потребляют больший ток. Однако, интерфейс ввода/вывода проще, он обладает высоким быстродействием, поэтому широко применяются в качестве ОЗУ микроконтроллеров, в базовой аппаратной конфигурации компьютера или другого устройства.

Энергонезависимое СОЗУ (NV SRAM)

Сверхоперативное запоминающее устройство (СОЗУ) строится, чаще всего, на регистрах, состоящих из статических триггеров. Энергонезависимость достигается использованием микроаккумуляторов, размещенных в корпусе изделия. Ввод/вывод информации может быть:

• последовательный;
• параллельный;
• реверсивными регистрами сдвига.

При этом запись и чтение может идти как через отдельные регистры, так и через общие. Из-за высокоскоростного доступа микросхемы такого типа применяются для реализации кэш-памяти микропроцессоров.

Флэш-память

Ячейка флэш-памяти состоит из полевого транзистора с, так называемым, «плавающим» затвором, который изолирован и управляется полем. При этом информация может мгновенно перезаписываться, а храниться до 20 лет. Достоинствами флэш-памяти являются:

• энергонезависимость;
• высокая скорость доступа к информации;
• экономичность;
• компактность;
• устойчивость к механическим повреждениям и вибрациям и др.

Благодаря большому набору положительных качеств флэш-память применяется очень широко.

Электрически перепрограммируемая постоянная память (EEPROM)

EEPROM в переводе означает электрически стираемая программируемая постоянная память. Этот тип памяти используется для хранения программ и данных при совместной работе с микропроцессорами.

ПЗУ с однократным программированием

Для хранения программ и данных, которые не могут быть стерты и перезаписаны используют ПЗУ. Микросхемы такого типа имеют свои разновидности с похожими или различными характеристиками.

Компания «ЗУМ-СМД» имеет огромный ассортимент интегральных компонентов, есть в наличии и элементы различной структуры микросхем памяти. На сайте компании «ЗУМ-СМД» можно купить микросхемы оптом онлайн.